
半導体製造工程で使用される洗浄剤、エッチング剤、レジスト剥離剤、添加剤、モノマー、界面活性剤などには、用途に応じた厳格な不純物管理が求められます。三洋化成では、対象材料の化学構造、溶解性、極性、熱安定性、pH、金属の存在状態などを踏まえ、材料性能をできるだけ維持しながら金属・微量元素不純物を低減する精製プロセスを検討します。
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化合物の構造・物性、不純物の種類や存在状態を分析し、それぞれに適した精製プロセスを設計。三洋化成が培ってきた精製技術を組み合わせることで、幅広い材料の低メタル化ニーズに応えます。
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弊社では、最新のICP-MS(誘導結合プラズマ質量分析計)およびICP-OES(ICP-AES、誘導結合プラズマ発光分光分析装置)を運用しています。精製後の微量金属不純物を定量し、規格に基づいて管理できる体制を整備しています。
半導体・電子材料で関心の高いNa、K、Ca、Mg、Al、Fe、Cu、Ni、Cr、Znなどを含む35元素を対象とした評価が可能です。
Ag、Al、As、B、Ba、Ca、Cd、Co、Cr、Cs、Cu、Fe、Ga、Ge、K、Li、Mg、Mn、Mo、Na、Ni、P、Pb、Rb、Sb、Se、Si、Sn、Sr、Ti、U、V、W、Zn、Zr
※定量下限、精度、適用可能な測定法は、対象元素、試料組成、前処理、希釈倍率、装置・測定条件等によって異なります。
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弊社は、高分子ポリマーから低分子モノマー、酸・アルカリを含有する各種配合物に至るまで、幅広い化学品の取扱実績を有しています。組成変化を最小限に抑えつつ精製するための知見・手法を蓄積しています。
まずは少量で低メタル化の可能性を確認し、分析結果をもとに条件を最適化。必要に応じて処理量を増やした検討へ展開します。
Step1
Step2
Step3
Step4
Step5
Step6
「この材料は低メタル化できるか」「Naをさらに下げたい」といった初期段階から、材料と要求値に応じて評価方法をご提案します。
・精製前後の多元素分析
・目的物の収率・材料性能への影響確認
・精製方法や処理条件の比較
ラボで得られた知見をもとに、必要に応じて処理量を増やした試験や、工程・設備を意識した条件検討へ展開します。
※具体的なスケジュール・設備対象範囲は対象材料ごとにご相談となります。
半導体の製造工程で使用されるフォトレジスト、レジスト剥離剤、エッチング剤、Post-CMP洗浄剤、先端パッケージ材料などに適用いただけます。
微量金属の低減により、デバイス性能の向上・歩留まり改善・信頼性向上に貢献します。

高純度が要求される液晶、有機EL、カラーフィルター、ガラス基板などの製造工程で使用されるTFT用フォトレジスト・剥離剤、基板洗浄剤、ITO/Cu配線工程薬液、OLED用感光性材料などに適用いただけます。
微量金属の影響を抑制し、表示品質の向上や、信頼性確保に寄与します。
※各用途における適性および安全性は、使用者の責任においてご判断ください。
弊社の低メタル化精製技術は、電子材料向けの溶剤・樹脂や半導体向け界面活性剤など、さまざまな化学品の高純度化に対応しています。下記の事例では、精製前にppmレベルで含まれていた金属不純物を、数十ppb以下まで低減しています。

注意事項
ここに記載された情報は、弊社の最善の知見に基づくものですが、いかなる明示または黙示の保証をするものではありません。
①すべての化学品には未知の有害性がありうるため、取り扱いには細心の注意が必要です。本品の適性に関する決定は使用者の責任において行ってください。
②この情報は、細心の注意を払って行った試験に基づくものですが、実際の現場結果を保証するものではありません。個々の使用に対する適切な使用条件や商品の適用は、使用者の責任においてご判断ください。
③この情報は、いかなる特許の推薦やその使用を保証するものではありません。